更新时间：2024-09-12 16:35
王守武（1919年3月15日—2014年7月30日），江苏苏州人，半导体器件物理学家，微电子学家，中国科学院学部委员（院士），生前是中国科学院半导体研究所研究员。
1919年3月15日，王守武出生于江苏苏州。
1925年，入读上海铁华小学二年级。
1927年，转入上海私立民智中小学。
1930年秋，在民智中小学升入初中一年级。
1931年，转入上海侨光中学。
1932年，入读上海青年中学高中。
1934年，转入苏州省立苏州中学。
1935年，入读上海同济大学预科。
1936年，考入同济大学工学院机电系。
1937年，升入同济大学机电系二年级。同年10月，到同济大学金华临时校址报到。
1941年2月，从同济大学机电系毕业。后进入昆明中央机器厂当工务员。
1942年，任中国工合翻砂实验工厂工务部主任。
1943年，任教于同济大学。同年带队同济大学造船系学生到重庆学习专业课和参加实习。
1945年8月，被美国普渡大学录取，在工程力学系攻读硕士。
1946年6月，从普渡大学工程力学系毕业，获得硕士学位。
1949年2月，从普渡大学毕业，获得博士学位。并留校任教。
1950年，受聘于中国科学院应用物理研究所。同时受聘于华北大学工学院（现北京理工大学）。
1960年，加入中国共产党；2月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察；9月，任中国科学院半导体研究所副所长。
1961年，随中国科学院代表团赴英国进行考察。
1963年7月，参加中国科学技术大学首届毕业典礼活动；11月，随中国学术代表团赴日本访问。
1973年9月，率中国电子器件考察团赴日本考察。
1980年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
1987年7月，聘任为中国科学院半导体研究所正研究员。
1991年4月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察。
1992年4月，赴美国进行考察。
1995年6月，参加王守觉院士七十寿辰庆祝活动。
2003年5月，参加保护母亲河行动。
2006年11月，在湖北省鄂州市泽林高中设立“英才奖学金”。
2014年7月30日，在美国逝世，享年95岁。
1957年，王守武研制成功中国第一只锗合金扩散晶体管，设计制造了中国第一台单晶炉，拉制成功了中国第一根锗单晶，研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术；1962年，他领导参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法的研究，建立了相应的标准测试系统；1964年，研制成功了中国第一只半导体激光器。指导参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作；1978年，承担了4千位的MOS随机存储器大规模集成电路的研制。又研制了16千位的MOS随机存储器大规模集成电路；1980年，改建109厂，建成4千位大规模集成电路生产线；王守武还指导参与了许多半导体器件和器件物理方面的基础研究工作，如在半导体性能测试方面的研究，半导体异质结激光器性质的研究，平面Gunn器件的研究，PNPN结构器件的研究，器件物理和器件设计的计算机模拟研究等。
1960年，王守武受命筹建的中国科学院半导体研究所正式成立。
1962年，王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建了全国半导体测试中心。
1963年，王守武组建了激光器研究室。
王守武在1950年回国后的30余年间，相继发表了十余篇对激光器研究的学术论文，其代表论著有《半导体的电子生伏打效应的理论》《关于PN合金结中少数载流子的注射理论》《用触针下分布电阻的光电电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命》等，其中部分论著参考如下：
[1]王守武.大规模和超大规模集成电路[J].物理，1983（05）：0-0.
[2]王守武，夏永伟，孔令坤，等.SOI结构中的薄体效应[J].Journal of Semiconductors，1985，6（3）：225-235.
[3]王守武，王启明，林世鸣.单腔双接触结构激光器双稳特性研究[J].Journal of Semiconductors，1986，7（2）：136-146.
[4]王守武，赵礼庆，张存善，等.DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量[J].Journal of Semiconductors，1982，3（2）：113-119.
[5]夏永伟，王守武.薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系[J].Journal of Semiconductors，1990，11（12）：962-965.
[6]王守武.半导体器件研究与进展[M].科学出版社，1988.
[7]王守武.VDMOS场效应晶体管应用手册[M].科学出版社，1990.
[8]赵红东，林世鸣，王守武.圆对称光栅对微腔激光器中光波的控制[J].光子学报，1996，25（5）：6.
[9]王守武.场效应晶体管应用手册[M].科学出版社，1990.
[10]滕达，徐仲英，庄蔚华，等.GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱[J].半导体学报，1990.
[11]Wang Shouwu/Institute of Semiconductors, Academia Sinica，王守武，等.GCr15凹模淬火裂纹止裂处的显微组织分析[J].半导体学报，1985，4（4）：11-23.
[12]王守武.半导体器件研究与进展第一册[M].科学出版社，1988.
王守武先后在中国科技大学、清华大学、北京大学、复旦大学等高等学校兼职授课。
1955年，王守武在北京大学物理系讲授《半导体物理学》等课程。
王守武在华北大学讲授《理论物理》《电工学》等课程。
王守武在中国科技大学讲授《半导体物理（Ⅱ）》等课程。
王守武为中国的半导体和微电子领域培养了新一代人才，如半导体器件和集成电路专家吴德馨院士，中国科学院博士生导师余金中教授等。
1948年5月1日，王守武与普渡大学同学葛修怀结婚；1949年10月，王守武女儿王义格出生；1951年5月，王守武儿子王义向出生。
“王守武是一位具有战略眼光的科学家，是中国半导体科学技术事业的重要开拓者和奠基人之一，他对中国半导体科学技术发展方向、政策和策略的确定有过很多卓见。”（中国科学家评）
“王守武是中国半导体科学技术事业的重要开拓者和奠基人之一，对中国的半导体事业，特别是半导体器件物理和产品的研发和生产方面作出了重大的贡献。”（《中国科学报》评）
“王守武是中国半导体学界享有崇高威望的科学家，他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。”（中国科学院半导体研究所评）
“他（王守武）是中国半导体微电子和光电子科技事业的奠基人之一，他那学识渊博、坚韧不拔、实事求是、严肃认真、言传身教、一丝不苟的优秀品质，永远是我们学习的榜样。”（半导体器件和集成电路专家吴德馨院士评）
“王守武作为中国半导体科学泰斗，他在科学上取得的一系列重大成果，他的功绩将永远记载在中国科技发展史上。”（中国科学院微电子研究所研究员叶甜春评）
2016年6月3日，“王守武奖励基金”捐赠座谈会在中国科学院微电子研究所举行。
为增进青年学生对微电子学科领域的了解，拓宽学术视野，活跃学术思维，激励学术创新，中国科学院微电子研究所联合国科大微电子学院举办了“王守武”微电子科学大学生夏令营。
2019年10月28日，王守武塑像落成仪式在中国科学院微电子研究所举行。